Infineon wprowadza na rynek technologię nowej generacji CoolSiC™ MOSFET G2

Infineon Technologies wprowadza na rynek technologię bramek okopowych CoolSiC™ MOSFET drugiej generacji, mającą na celu poprawę wydajności systemu zasilania. Technologia ta jest stosowana w pojazdach elektrycznych, energii słonecznej i innych dziedzinach, aby skutecznie zmniejszyć zużycie energii i poprawić wydajność. Na przykład stacje szybkiego ładowania pojazdów elektrycznych mogą zmniejszyć straty mocy o 10% i poprawić efektywność ładowania.