Infineon predstavuje novú generáciu technológie CoolSiC™ MOSFET G2

Infineon Technologies uvádza na trh druhú generáciu technológie zákopovej brány CoolSiC™ MOSFET na zlepšenie účinnosti energetického systému. Táto technológia sa používa v elektrických vozidlách, solárnej energii a iných oblastiach na efektívne zníženie spotreby energie a zlepšenie výkonu. Napríklad rýchlonabíjacie stanice elektrických vozidiel môžu znížiť stratu energie o 10 % a zlepšiť efektivitu nabíjania.