Infineon выпускае тэхналогію CoolSiC™ MOSFET G2 новага пакалення

Infineon Technologies запускае тэхналогію траншэйнага затвора CoolSiC™ MOSFET другога пакалення для павышэння эфектыўнасці энергасістэмы. Гэтая тэхналогія выкарыстоўваецца ў электрамабілях, сонечнай энергіі і іншых галінах для эфектыўнага зніжэння спажывання энергіі і павышэння прадукцыйнасці. Напрыклад, станцыі хуткай зарадкі электрамабіляў могуць паменшыць страты магутнасці на 10% і павысіць эфектыўнасць зарадкі.