Infineon เปิดตัวเทคโนโลยี CoolSiC™ MOSFET G2 เจเนอเรชันใหม่

Infineon Technologies เปิดตัวเทคโนโลยีประตูร่องลึก CoolSiC™ MOSFET รุ่นที่สอง เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบไฟฟ้า เทคโนโลยีนี้ใช้ในยานพาหนะไฟฟ้า พลังงานแสงอาทิตย์ และสาขาอื่นๆ เพื่อลดการใช้พลังงานอย่างมีประสิทธิภาพและปรับปรุงประสิทธิภาพ ตัวอย่างเช่น สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้าแบบเร็วสามารถลดการสูญเสียพลังงานได้ 10% และปรับปรุงประสิทธิภาพการชาร์จ