Infineon mengeluarkan teknologi CoolSiC™ MOSFET G2 generasi baharu

Infineon Technologies melancarkan teknologi pintu parit CoolSiC™ MOSFET generasi kedua untuk meningkatkan kecekapan sistem kuasa. Teknologi ini digunakan dalam kenderaan elektrik, tenaga suria dan medan lain untuk mengurangkan penggunaan tenaga dan meningkatkan prestasi dengan berkesan. Contohnya, stesen pengecasan pantas kenderaan elektrik boleh mengurangkan kehilangan kuasa sebanyak 10% dan meningkatkan kecekapan pengecasan.