12 модуляў CoolSiC™ MOSFET Easy1B і Easy2B на 1200 В

Infineon выпускае 12 модуляў CoolSiC™ MOSFET Easy1B і Easy2B на 1200 В, якія падыходзяць для зарадкі электрамабіляў, ІБП, фотаэлектрыкі, назапашвання энергіі і іншых сфер. Гэтыя модулі выкарыстоўваюць тэхналогію абціскання PressFIT і вызначэнне тэмпературы NTC і даступныя ў версіях Al2O3/AlN DCB. Некаторыя мадэлі папярэдне пакрытыя матэрыялам TIM, які мае характарыстыкі нізкай паразітарнай індуктыўнасці і шырокай бяспечнай зоны рэверсу RBSOA.