12 модулів CoolSiC™ MOSFET Easy1B і Easy2B на 1200 В

Infineon випускає 12 модулів CoolSiC™ MOSFET Easy1B і Easy2B на 1200 В, які підходять для заряджання електромобілів, ДБЖ, фотоелектричних систем, накопичувачів енергії та інших галузей. Ці модулі використовують технологію обтиску PressFIT і визначення температури NTC і доступні у версіях Al2O3/AlN DCB. Деякі моделі попередньо покриті матеріалом TIM, який має характеристики низької паразитної індуктивності та широку безпечну зону зворотної роботи RBSOA.