Wprowadzenie do serii MOSFET CoolSiC™ 2000 V 12–100 mΩ

Nowo wprowadzona na rynek seria MOSFET CoolSiC™ firmy Infineon 2000 V jest umieszczona w obudowie TO-247PLUS-4-HCC i ma specyfikację 12–100 mΩ. Ta seria produktów nadaje się do zastosowań takich jak ładowanie pojazdów elektrycznych, falowniki fotowoltaiczne i systemy magazynowania energii, a także charakteryzuje się niskimi stratami przełączania i wysoką odpornością na wilgoć.