Infineon bringt 1200-V-CoolSiC™-MOSFET-Halbbrücken- und Dreiphasenbrücken-Easy-Module auf den Markt

Die neuen 1200-V-CoolSiC™-MOSFET-Halbbrücken- und Dreiphasenbrücken-Easy-Module von Infineon, einschließlich EasyDUAL™ 1B und EasyPACK™ 1B, nutzen die CoolSiC™ MOSFET-erweiterte Generation-1-Technologie und sind für 1200-V-Anwendungen geeignet. Diese Module zeichnen sich durch eine niedrige parasitäre Induktivität, ein breites Gate-Treiberspannungsfenster und einen großen RBSOA aus, wodurch sie für Anwendungen wie Motorsteuerung und Antrieb bei hohen Schaltfrequenzen geeignet sind.