Infineon lance les modules Easy en demi-pont MOSFET CoolSiC™ 1 200 V et en pont triphasé

Les nouveaux modules Easy en demi-pont et pont triphasé CoolSiC™ MOSFET 1 200 V d'Infineon, notamment EasyDUAL™ 1B et EasyPACK™ 1B, utilisent la technologie CoolSiC™ MOSFET améliorée de génération 1 et conviennent aux applications 1 200 V. Ces modules présentent une faible inductance parasite, une large fenêtre de tension de commande de grille et un grand RBSOA, ce qui les rend adaptés aux applications telles que le contrôle de moteur et l'entraînement à des fréquences de commutation élevées.