Infineon ने 1200V CoolSiC™ MOSFET हाफ-ब्रिज और तीन-चरण ब्रिज आसान मॉड्यूल लॉन्च किए

Infineon के नए 1200V CoolSiC™ MOSFET हाफ-ब्रिज और तीन-चरण ब्रिज Easy मॉड्यूल, EasyDUAL™ 1B और EasyPACK™ 1B सहित, CoolSiC™ MOSFET उन्नत पीढ़ी 1 तकनीक का उपयोग करते हैं और 1200V अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं। इन मॉड्यूल में कम परजीवी अधिष्ठापन, चौड़ी गेट ड्राइव वोल्टेज विंडो और बड़ी आरबीएसओए की सुविधा है, जो उन्हें मोटर नियंत्रण और उच्च स्विचिंग आवृत्तियों पर ड्राइव जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाती है।