تطلق Infineon وحدات CoolSiC™ MOSFET نصف الجسر والجسر ثلاثي الطور بجهد 1200 فولت، وحدات سهلة

5
تستخدم وحدات CoolSiC™ MOSFET نصف الجسر والجسر ثلاثي الطور الجديدة من Infineon بقدرة 1200 فولت، بما في ذلك EasyDUAL™ 1B وEasyPACK™ 1B، تقنية الجيل 1 المحسنة من CoolSiC™ MOSFET وهي مناسبة لتطبيقات 1200 فولت. تتميز هذه الوحدات بمحاثة طفيلية منخفضة، ونافذة جهد واسعة لمحرك البوابة وRBSOA كبيرة، مما يجعلها مناسبة لتطبيقات مثل التحكم في المحرك والقيادة بترددات تحويل عالية.