Хагас дамжуулагчийн гүйцэтгэлд хаалганы хөтчийн эерэг хүчдэлийн нөлөө
Renesas Electronics
Shengyi технологи
IGBT
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
ашиг
Хаалга
ашиг
алт
хүч
алдагдал
SiC
2024-12-19 19:43
4
Хаалганы эерэг хүчдэл нь MOSFET болон IGBT-ийн дамжуулалтын алдагдал болон асаалтын алдагдлыг бууруулж болох боловч богино залгааны тэсвэрлэх чадварт нөлөөлж болно. 1200V IGBT-ийн хувьд 1200V SiC MOSFET-д 15V драйвер ашиглахыг зөвлөж байна, 18V драйвер ашиглахыг зөвлөж байна.
