Auswirkung der positiven Gate-Treiberspannung auf die Leistung von Leistungshalbleitern

Eine positive Gate-Spannung kann Leitungsverluste und Einschaltverluste von MOSFETs und IGBTs reduzieren, kann jedoch die Kurzschlussfestigkeit beeinträchtigen. Für 1200-V-IGBT wird die Verwendung eines 15-V-Treibers empfohlen; für 1200-V-SiC-MOSFET wird die Verwendung eines 18-V-Treibers empfohlen.