Efeito da tensão positiva do gate drive no desempenho do semicondutor de potência

A tensão de porta positiva pode reduzir perdas de condução e perdas de ativação de MOSFETs e IGBTs, mas pode afetar a capacidade de resistência a curto-circuito. Para IGBT 1200V, recomenda-se usar driver de 15V; para MOSFET SiC 1200V, recomenda-se usar driver de 18V.