Hilakäytön positiivisen jännitteen vaikutus tehopuolijohteen suorituskykyyn

Positiivinen hilajännite voi vähentää johtavuushäviöitä ja MOSFETien ja IGBT:iden käynnistyshäviöitä, mutta se voi vaikuttaa oikosulkukestävyyteen. 1200V IGBT:lle suositellaan 15V ajurin käyttöä 1200V SiC MOSFETille, suositellaan 18V ajuria.