Effekt af gatedrevets positive spænding på effekthalvlederens ydeevne

Positiv gatespænding kan reducere ledningstab og tændingstab for MOSFET'er og IGBT'er, men kan påvirke kortslutningsmodstandsevnen. For 1200V IGBT anbefales det at bruge 15V driver til 1200V SiC MOSFET, det anbefales at bruge 18V driver.