Effekt av positiv spänning för grinddrivning på effekthalvledarprestanda

Positiv grindspänning kan minska ledningsförluster och startförluster hos MOSFET:er och IGBT:er, men kan påverka kortslutningsmotståndsförmågan. För 1200V IGBT rekommenderas att använda 15V drivrutin för 1200V SiC MOSFET, det rekommenderas att använda 18V drivrutin.