Effetto della tensione positiva del gate drive sulle prestazioni dei semiconduttori di potenza
2024-12-19 19:43
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La tensione di gate positiva può ridurre le perdite di conduzione e le perdite di attivazione di MOSFET e IGBT, ma può influire sulle capacità di resistenza al cortocircuito. Per IGBT da 1200 V, si consiglia di utilizzare un driver da 15 V; per MOSFET SiC da 1200 V, si consiglia di utilizzare un driver da 18 V.
