Влияние положительного напряжения управления затвором на характеристики силовых полупроводниковых приборов

Положительное напряжение на затворе может снизить потери проводимости и потери включения MOSFET и IGBT, но может повлиять на устойчивость к короткому замыканию. Для IGBT 1200 В рекомендуется использовать драйвер 15 В; для МОП-транзистора SiC 1200 В рекомендуется использовать драйвер 18 В.