Efectul tensiunii pozitive a acționării porții asupra performanței semiconductoarelor de putere

Tensiunea de poartă pozitivă poate reduce pierderile de conducție și pierderile de pornire ale MOSFET-urilor și IGBT-urilor, dar poate afecta capacitățile de rezistență la scurtcircuit. Pentru IGBT de 1200V, se recomandă utilizarea driverului de 15V pentru MOSFET SiC de 1200V, se recomandă utilizarea driverului de 18V.