Učinek pozitivne napetosti pogona vrat na zmogljivost močnostnega polprevodnika

Pozitivna napetost na vratih lahko zmanjša izgube prevodnosti in izgube ob vklopu MOSFET-jev in IGBT-jev, vendar lahko vpliva na odpornost proti kratkemu stiku. Za 1200 V IGBT je priporočljiva uporaba 15 V gonilnika; za 1200 V SiC MOSFET je priporočljiva uporaba 18 V gonilnika.