Ефект на положителното напрежение на задвижването на гейта върху производителността на силовите полупроводници

Положителното напрежение на портата може да намали загубите на проводимост и загубите при включване на MOSFET и IGBT, но може да повлияе на възможностите за устойчивост на късо съединение. За 1200V IGBT се препоръчва да се използва 15V драйвер; за 1200V SiC MOSFET се препоръчва да се използва 18V драйвер.