Wpływ dodatniego napięcia napędu bramki na wydajność półprzewodników mocy

Dodatnie napięcie bramki może zmniejszyć straty przewodzenia i straty przy włączaniu tranzystorów MOSFET i IGBT, ale może wpływać na odporność na zwarcia. W przypadku IGBT 1200 V zaleca się użycie sterownika 15 V; w przypadku MOSFET-u SiC 1200 V zaleca się użycie sterownika 18 V.