Vplyv kladného napätia hradla na výkon výkonového polovodiča

Kladné hradlové napätie môže znížiť straty vo vedení a straty pri zapnutí MOSFETov a IGBT, ale môže ovplyvniť odolnosť proti skratu. Pre 1200V IGBT sa odporúča použiť 15V ovládač pre 1200V SiC MOSFET, odporúča sa použiť 18V ovládač.