Vliv kladného napětí hradla na výkon výkonového polovodiče

Kladné hradlové napětí může snížit ztráty ve vedení a ztráty při zapnutí MOSFETů a IGBT, ale může ovlivnit odolnost proti zkratu. Pro 1200V IGBT se doporučuje použít 15V ovladač pro 1200V SiC MOSFET se doporučuje použít 18V ovladač.