Уплыў станоўчага напружання затвора на прадукцыйнасць сілавых паўправаднікоў

Станоўчае напружанне на засаўцы можа паменшыць страты на праводнасць і страты пры ўключэнні MOSFET і IGBT, але можа паўплываць на здольнасць супрацьстаяць кароткаму замыканню. Для 1200 В IGBT рэкамендуецца выкарыстоўваць драйвер 15 В; для 1200 В SiC MOSFET рэкамендуецца выкарыстоўваць драйвер 18 В.