A kapuhajtás pozitív feszültségének hatása a teljesítmény-félvezető teljesítményére

A pozitív kapufeszültség csökkentheti a vezetési veszteségeket és a MOSFET-ek és IGBT-k bekapcsolási veszteségeit, de hatással lehet a rövidzárlat-ellenállási képességekre. 1200V-os IGBT-hez 1200V-os SiC MOSFET-hez 15V-os meghajtó, 18V-os meghajtó használata javasolt.