Вплив позитивної напруги затвора на продуктивність силового напівпровідника

Позитивна напруга затвора може зменшити втрати на провідність і втрати при включенні MOSFET і IGBT, але може вплинути на здатність витримувати короткі замикання. Для 1200 В IGBT рекомендується використовувати драйвер 15 В; для 1200 В SiC MOSFET рекомендується використовувати драйвер 18 В.