Efekti i tensionit pozitiv të ngasjes së portës në performancën e gjysmëpërçuesit të energjisë

Tensioni pozitiv i portës mund të reduktojë humbjet e përcjelljes dhe humbjet e ndezjes së MOSFET-ve dhe IGBT-ve, por mund të ndikojë në aftësitë e rezistencës ndaj qarkut të shkurtër. Për 1200V IGBT, rekomandohet përdorimi i shoferit 15V për MOSFET SiC 1200V, rekomandohet përdorimi i drejtuesit 18V.