Ảnh hưởng của điện áp dương ổ đĩa cổng đến hiệu suất bán dẫn điện

Điện áp cổng dương có thể giảm tổn thất dẫn điện và tổn thất khi bật của MOSFET và IGBT, nhưng có thể ảnh hưởng đến khả năng chịu ngắn mạch. Đối với 1200V IGBT, nên sử dụng trình điều khiển 15V; đối với MOSFET SiC 1200V, nên sử dụng trình điều khiển 18V.