Effek van hekaandrywing positiewe spanning op drywing halfgeleier prestasie

Positiewe hekspanning kan geleidingsverliese en aanskakelverliese van MOSFET's en IGBT's verminder, maar kan kortsluitingweerstandvermoë beïnvloed. Vir 1200V IGBT word dit aanbeveel om 15V drywer te gebruik vir 1200V SiC MOSFET, dit word aanbeveel om 18V drywer te gebruik.