Efecto orekóva tensión positiva impulsión compuerta rendimiento semiconductor potencia rehe

Tensión compuerta positiva ikatu omboguejy pérdida conducción ha pérdida de encendido MOSFET ha IGBT, pero ikatu oityvyro capacidad de resistencia cortocircuito. 1200V IGBT-pe g̃uarã, iporã ojepuru 15V mboguatahára 1200V SiC MOSFET-pe g̃uarã, iporã ojepuru 18V mboguatahára.