Das neu eingeführte 62-mm-Halbbrückenmodul verwendet einen 2000-V-SiC-M1H-Chip

Das neu eingeführte 62-mm-CoolSiC™-MOSFET-Halbbrückenmodul von Infineon verwendet einen 2000-V-SiC-M1H-Chip und ist in den Spezifikationen 2,6 mΩ und 3,5 mΩ erhältlich. Das Modul verfügt über eine verbesserte VGS(th)-, RDS(on)-Drift- und Gate-Treiberspannungsfensterleistung. Darüber hinaus ist eine Version mit voraufgetragenem Thermal Interface Material (TIM) erhältlich.