Äskettäin lanseerattu 62 mm:n puolisiltamoduuli käyttää 2000 V SiC M1H -sirua

Infineonin äskettäin lanseerattu 62 mm CoolSiC™ MOSFET -puolisiltamoduuli käyttää 2000 V SiC M1H -sirua ja on saatavana 2,6 mΩ:n ja 3,5 mΩ:n eritelmissä. Moduulissa on parannettu VGS(th), RDS(on)-drift- ja gate drive jänniteikkunan suorituskyky. Lisäksi valmiiksi asennettu Thermal Interface Material (TIM) -versio on saatavilla.