Nieuw gelanceerde 62 mm halve brugmodule maakt gebruik van 2000V SiC M1H-chip

De onlangs gelanceerde 62 mm CoolSiC™ MOSFET-halfbrugmodule van Infineon maakt gebruik van een 2000 V SiC M1H-chip en is verkrijgbaar in specificaties van 2,6 mΩ en 3,5 mΩ. De module beschikt over verbeterde VGS(th), RDS(on) drift en gate drive spanningsvensterprestaties. Bovendien is er een vooraf aangebrachte versie van Thermal Interface Material (TIM) beschikbaar.