Недавно выпущенный 62-мм полумостовой модуль использует чип SiC M1H 2000 В.

Недавно выпущенный полумостовой модуль CoolSiC™ MOSFET компании Infineon диаметром 62 мм использует микросхему SiC M1H с напряжением 2000 В и доступен в исполнениях с сопротивлением 2,6 мОм и 3,5 мОм. Модуль имеет улучшенные характеристики дрейфа VGS(th), RDS(on) и окна напряжения управления затвором. Кроме того, доступна версия с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом (TIM).