Modulul semi-bridge de 62 mm recent lansat folosește cip SiC M1H de 2000 V

Modulul semi-bridge CoolSiC™ MOSFET de 62 mm recent lansat de Infineon utilizează un cip SiC M1H de 2000 V și este disponibil cu specificații de 2,6 mΩ și 3,5 mΩ. Modulul dispune de performanțe îmbunătățite ale ferestrei de tensiune VGS(th), RDS(on) drift și gate drive. În plus, este disponibilă o versiune de material de interfață termică (TIM) pre-aplicată.