Новолансираният 62 мм полумостов модул използва 2000V SiC M1H чип

Наскоро лансираният 62mm CoolSiC™ MOSFET полумостов модул на Infineon използва 2000V SiC M1H чип и се предлага в спецификации 2.6mΩ и 3.5mΩ. Модулът разполага с подобрена VGS(th), RDS(on) дрейф и производителност на прозореца на напрежението на задвижване на вратата. Освен това е налична версия с предварително приложен термичен интерфейсен материал (TIM).