Nowo wprowadzony na rynek moduł półmostkowy 62 mm wykorzystuje układ SiC M1H o napięciu 2000 V

Nowo wprowadzony na rynek moduł półmostkowy CoolSiC™ MOSFET 62 mm firmy Infineon wykorzystuje układ SiC M1H o napięciu 2000 V i jest dostępny w wersjach o rezystancji 2,6 mΩ i 3,5 mΩ. Moduł charakteryzuje się poprawioną wydajnością okna napięcia VGS(th), RDS(on) i napędu bramki. Dodatkowo dostępna jest wersja z wstępnie nałożonym materiałem termoprzewodzącym (TIM).