Novo uvedený 62mm polomostíkový modul využíva 2000V SiC M1H čip

Novo uvedený modul polovičného mostíka 62 mm CoolSiC™ MOSFET od spoločnosti Infineon využíva 2000 V SiC M1H čip a je dostupný v špecifikáciách 2,6 mΩ a 3,5 mΩ. Modul sa vyznačuje vylepšeným posunom VGS(th), RDS(on) a napätím okna pohonu brány. Okrem toho je k dispozícii verzia s vopred aplikovaným materiálom tepelného rozhrania (TIM).