Naujai išleistas 62 mm pustilties modulis naudoja 2000 V SiC M1H lustą

Naujai išleistame „Infineon“ 62 mm CoolSiC™ MOSFET pustilties modulyje naudojama 2000 V SiC M1H mikroschema ir yra 2,6 mΩ ir 3,5 mΩ specifikacijų. Modulis turi patobulintą VGS(th), RDS(on) dreifo ir vartų pavaros įtampos lango veikimą. Be to, galima iš anksto pritaikyta šiluminės sąsajos medžiagos (TIM) versija.