အသစ်ထွက်ရှိထားသော 62mm half-bridge module သည် 2000V SiC M1H ချစ်ပ်ကို အသုံးပြုထားသည်။

Infineon ၏ အသစ်ထွက်ရှိထားသော 62mm CoolSiC™ MOSFET half-bridge module သည် 2000V SiC M1H ချစ်ပ်ကို အသုံးပြုထားပြီး 2.6mΩ နှင့် 3.5mΩ သတ်မှတ်ချက်များဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။ မော်ဂျူးတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော VGS(th)၊ RDS(on) ပျံတက်ခြင်းနှင့် ဂိတ်ဒရိုက်ဗို့အားဝင်းဒိုးစွမ်းဆောင်ရည်တို့ပါရှိသည်။ ထို့အပြင်၊ ကြိုတင်အသုံးမပြုထားသော Thermal Interface Material (TIM) ဗားရှင်းကို ရနိုင်သည်။