नए लॉन्च किए गए 62 मिमी हाफ-ब्रिज मॉड्यूल में 2000V SiC M1H चिप का उपयोग किया गया है

Infineon का नया लॉन्च किया गया 62mm CoolSiC™ MOSFET हाफ-ब्रिज मॉड्यूल 2000V SiC M1H चिप का उपयोग करता है और 2.6mΩ और 3.5mΩ विनिर्देशों में उपलब्ध है। मॉड्यूल में वीजीएस (थ), आरडीएस (ऑन) ड्रिफ्ट और गेट ड्राइव वोल्टेज विंडो प्रदर्शन में सुधार हुआ है। इसके अतिरिक्त, एक पूर्व-लागू थर्मल इंटरफ़ेस सामग्री (टीआईएम) संस्करण उपलब्ध है।