מודול חצי גשר 62 מ"מ שהושק לאחרונה משתמש בשבב 2000V SiC M1H

מודול חצי גשר 62 מ"מ CoolSiC™ MOSFET של Infineon משתמש בשבב 2000V SiC M1H וזמין במפרטים של 2.6mΩ ו-3.5mΩ. המודול כולל ביצועי סחיפה משופרים של VGS(th), RDS(on) וחלון מתח כונן שער. בנוסף, זמינה גרסת חומר ממשק תרמי (TIM) מיושם מראש.