ახლად გაშვებული 62 მმ ნახევრად ხიდის მოდული იყენებს 2000 ვ SiC M1H ჩიპს

Infineon-ის ახლად გამოშვებული 62მმ CoolSiC™ MOSFET ნახევარხიდის მოდული იყენებს 2000V SiC M1H ჩიპს და ხელმისაწვდომია 2.6mΩ და 3.5mΩ სპეციფიკაციებით. მოდული აღჭურვილია გაუმჯობესებული VGS(th), RDS(on) drift და კარიბჭის წამყვანი ძაბვის ფანჯრის მუშაობა. გარდა ამისა, ხელმისაწვდომია წინასწარ გამოყენებული თერმული ინტერფეისის მასალის (TIM) ვერსია.