英飛凌M1H CoolSiC™ MOSFET技術與可靠度分析

英飛凌推出M1H CoolSiC™ MOSFET，採用非對稱溝槽柵技術，兼顧效能與可靠度。此技術有效解決了SiC MOSFET閘極氧化層可靠性問題，並提升了元件性能。 M1H晶片具備低失效率和改善的柵極氧化層質量，大幅減少閾值漂移。此外，此MOSFET承諾短路能力，在門極15V電壓下單管具有3us的短路時間。