Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET 기술 및 신뢰성 분석
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트렌치 게이트
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단락
리프트
2024-12-19 19:44
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Infineon은 비대칭 트렌치 게이트 기술을 사용하여 성능과 신뢰성을 결합한 M1H CoolSiC™ MOSFET을 출시합니다. 이 기술은 SiC MOSFET 게이트 산화막의 신뢰성 문제를 효과적으로 해결하고 장치 성능을 향상시킵니다. M1H 칩은 실패율이 낮고 게이트 산화물 품질이 향상되어 임계값 드리프트를 크게 줄입니다. 또한 이 MOSFET은 15V의 게이트 전압에서 3us의 단락 시간을 갖는 단일 튜브로 단락 기능을 보장합니다.
