Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET-Technologie und Zuverlässigkeitsanalyse

Infineon bringt den M1H CoolSiC™ MOSFET auf den Markt, der asymmetrische Trench-Gate-Technologie nutzt, um Leistung und Zuverlässigkeit zu kombinieren. Diese Technologie löst effektiv das Zuverlässigkeitsproblem der SiC-MOSFET-Gate-Oxidschicht und verbessert die Geräteleistung. Der M1H-Chip weist eine niedrige Ausfallrate und eine verbesserte Gate-Oxidqualität auf, wodurch die Schwellenwertdrift deutlich reduziert wird. Darüber hinaus verspricht dieser MOSFET Kurzschlussfähigkeit, wobei eine einzelne Röhre bei einer Gate-Spannung von 15 V eine Kurzschlusszeit von 3us aufweist.