Technologie MOSFET Infineon M1H CoolSiC™ et analyse de fiabilité

Infineon lance le MOSFET M1H CoolSiC™, qui utilise la technologie de grille à tranchée asymétrique pour allier performances et fiabilité. Cette technologie résout efficacement le problème de fiabilité de la couche d'oxyde de grille SiC MOSFET et améliore les performances du dispositif. La puce M1H présente un faible taux de défaillance et une qualité d'oxyde de grille améliorée, réduisant considérablement la dérive de seuil. De plus, ce MOSFET promet une capacité de court-circuit, avec un seul tube ayant un temps de court-circuit de 3us à une tension de grille de 15V.